小型離子濺射儀庫號：M389279小型離子濺射儀庫號：M389279

小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。

主要規格和技術指標：
1.靶（上部電極）：材料：金，直徑：50mm，厚度：0.1mm　純度：99.999%
2、真空室：直徑：160mm，高：110mm
3.樣品臺（下部電極）：濺射面積：直徑：50mm
4．工作真空： 8×10-2—2×10-1 mbar
5.離子電流表：電流：50mA
6.數顯計丨時器：根據濺射習慣設定單次濺射時間。
7.濺射電壓：-1600DVC
8.真空泵（VTD-4）:1.1升/每秒
9.工作室工作媒介氣體：空氣或氬氣等多種氣體
10．針閥： 配有進氣口，微量充氣調節，可連接φ4*2.5mm軟管
11. 外型尺寸：360mm×300mm×380mm

小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。小型離子濺射儀采用二極（DC）直流濺射原理設計，適用于掃描電子顯微鏡（SEM）樣品制備,非導體材料實驗電極的制作。